當社はIDMメーカー(*)として蓄積したメモリ開発の知識と経験を活かし、お客様の要望に合わせた幅広い埋め込み不揮発性メモリ（eNVM）ラインナップを提供します。
*IDM (Integrated Device Manufacturer)
半導體の設計から製造まで自社で行う垂直統合型メーカー。

埋め込み不揮発性メモリ（eNVM)ラインナップ

High Density NVM

不揮発性メモリ「NRAM^{® （注1）}」ベースのテクノロジを紹介します。
注1：NRAMは、Nantero, Inc.の登録商標です。

NRAM^®（Next Generation Memory）

特徴

• ランダムアクセス
• 低電圧、低消費電力書き換え
• 高い書き換え耐性、高溫でのリテンション耐性

用途

• ウェアラブル、IoT
• 車載（高溫用途)、EEPROM置き換え

High End NVM

ESF3^（注2）および、FLOTOX(FLOating gate Tunnel OXide)による當社のテクノロジーソリューションを紹介します。

ESF3/FLOTOX

特徴

• 40nmテクノロジでは、市場実績の豊富な高性能、高集積、高信頼性のSST社ESF3を採用
• 55nmはIDM時代から培われた車載実績の豊富なオリジナルの高信頼性FLOTOX Flashを提供
  

  「DDCテクノロジとフラッシュメモリの混載に成功」 »

• 100MHz以上の高性能と100Kcycのエンデュランス性能を両立、AECQ-100に対応し、Tj150℃の動作を保証

用途

• 車載、高性能大容量eFlash品

Middle Range NVM

當社のテクノロジーソリュション「Plug-In Flash」を紹介します。

Plug-in Flash (In-House)

特徴

• Plug-Inのコンセプトにより、既存の設計資産を生かしつつフラッシュメモリの混載が可能
• プロセス設計、デバイス設計、回路設計を全體最適化することにより、チップコストを最小化
• 新たに導入した回路技術により、データ読み出し時と、データ書き換え時の消費電力を大幅に削減

用途

• ウェアラブル IoT,民生マイコン

Low End NVM

不揮発性メモリIPについて、當社のテクノロジソリューションを紹介します。

MTP（Multiple Time Programmable）/OTP（One Time Programmable）

特徴

• 標準ロジックプロセスにて製造可能なローコスト不揮発性メモリ
• 3rdベンダーによるIPサポート

用途

• セキュリティ、トリミングデータの格納、小容量プログラムファイルの格納